| 型号： | J175,116 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | JFET P-CHAN 30V SOT23-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 |
| J175,116 PDF |  |
| 标准包装 | 10,000 |
| 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7mA @ 15V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - |
| FET 型 | P 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 3V @ 10nA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS（开） | 125 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 其它名称 | 934005300116 J175 T/R J175 T/R-ND |